GaAs仍主导RF放大器领域CMOS前景未定电子设备行业资讯资讯-【资讯】

发布时间：2021-07-21 17:34:14 阅读：次来源：护肘厂家

据参加微波技术与工艺研讨会(MTT-S)的一个专家讨论小组，RFCMOS可能还未迎来黄金时段，至少是在手机功率放大器领域，而砷化镓(GaAs)将继续在该领域处于主导地位。诺基亚的RF工程与技术经理FazalAli估计，2004年手机出货量约为6.645亿部，每部电话中有两或三个放大器，总计接近20亿个。他问这些功率放大器(PA)中有多少是CMOS，显然暗示答案是“不太多”。

来自HVVi公司的MikeGolio表示，问题是未来的使用。该专家组还考虑了在手机中取代GaAs的可能性，以及CMOSPA能否最终主宰手机市场。另一个问题是，将来它们是否能与化合物半导体工艺或硅双极结式晶体管共存。

专家组认为，RFCMOS和GaAs不是同一类东西。作为分立晶体管，GaAs是非常有效率的天线驱动器和功率放大器，具有非常好的RF性能。Golio表示，RFCMOS作为一种集成技术受到青睐，因为该特点可能使RF收发器能够与基带处理器共存。但这种情形如何及何时出现，甚至连CMOS的鼓吹者也说不上来。

来自GaAs晶体管制造商Anadigics的AdityaGupta坚持认为，RFCMOS是“空头支票”，可能永远也达不到GaAs的性能水平－－除非放大器是采用0.25微米工艺制造的，这时候无法匹配利用0.18和0.13微米工艺制造的普通基带处理器。

Gupta坚持认为，CMOS手机放大器市场没有什么商业性成功。制造GaAs和硅分离器件模块的SkyworksSolutionsInc.的PeteZampard补充说，“CMOS不能够满足我们要求的规格。”

对CMOS最有力的论据来自加州理工学院的教授AliHajimari。他说，CMOS的集成性已经表明，它在蓝牙和许多Wi-Fi应用中具有很好的性价比。他承认，CMOS可能在接收器领域取得比在发射器领域更大的进展，但他不愿对集成目标放弃希望。

参加讨论的专家一致认为，GaAs、RFCMOS和BiCMOS(以SiGe作为双极掺杂)可能将在未来的许多系统中共存。